Placa homogeneizadora de temperatura para microdispositivos térmicamente aislados

Referencia OEPM: P9601571.-- Fecha de solicitud: 12/07/1996.-- Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).Placa homogeneizadora de temperatura para microdispositivos térmicamente aislados (ver figura en archivo de texto adjunto). El objeto de la presente invención es el desarrollo de una microestructura térmicamente aislada con zonas de temperatura muy homogénea y controlada. Dichas estructuras son la base de distintos tipos de sensores microelectrónicos ya existentes, en los que un cierto material o elemento sensible se deposita sobre una estructura térmica que debe trabajar a una temperatura conocida. Es aplicable a sistemas de medida microelectrónica basados en microsensores de silicio.Peer reviewe

Evolución Científico Técnica

47 diapositivas.-- Trabajo de divulgación científica presentado en el XXV Aniversario de la creación del CNM.Peer reviewe

Medidor de caudal de elemento estrangulador con microsensor de presión incorporado

Referencia OEPM: P9602679.-- Fecha de solicitud: 18/12/1996.-- Titulares: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), COPRECI, Sociedad Cooperativa Ltda, S.A.Medidor de caudal de elemento estrangulador con microsensor de presión incorporado (ver figura en archivo de texto adjunto). Está basado en la medida de la presión diferencial existente entre la entrada y la salida de un elemento estrangulador de flujo, mediante un microsensor de presión incorporado en el mismo elemento. La ventaja principal que presenta el nuevo medidor consiste en la integración de diversos elementos en un único dispositivo, a diferencia de los medidores convencionales que consisten en un elemento primario que crea la diferencia de presión y uno secundario que mide dicha presión. Como consecuencia de la integración de los distintos elementos, el nuevo dispositivo se monta fácilmente en la tubería haciendo innecesaria la utilización de tuberías adicionales y/o válvulas entre los dispositivos primario y secundario.Peer reviewe

Acelerómetro triaxial

Referencia OEPM: P9701154.-- Fecha de solicitud: 28/05/1997.-- Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).Acelerómetro triaxial que combina en su fabricación tecnologías de micro mecanización en volumen de silicio con tecnologías de micro mecanización superficial, utilizando obleas tipo BESOI (Bond and Etch Back Silicon On Insulator), y con una estructura que consiste en dos masas unidas por uno o varios puentes entre si y cada una de las cuales unidas al marco del dispositivo por dos puentes exteriores, colocando piezoresistencias en los puentes centrales y exteriores que formen un puente de Wheatstone, y siendo los puentes exteriores perpendiculares a los dos puentes que unen las masas. Aplicaciones en medicina, navegación y campos relacionados.Peer reviewe

Estructura de test para la medida del desalineamiento entre niveles en tecnologías microelectrónicas, basada en transistores MOS con puerta triangular

Referencia OEPM: P8900452.-- Fecha de solicitud: 30/10/1991.-- Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).Estructura de test para la medida del desalineamiento entre niveles en tecnologías microelectrónicas, basada en transistores MOS con puerta triangular (ver figura en archivo de taxto adjunto). La estructura de test para la medida del desalineamiento entre niveles de tecnologías microeléctricas, basada en transistores MOS con puerta triangular, es un dispositivo microelectrónico compuesto de cuatro transistores MOS con la puerta triangular, dispuestos formando 90º entre sí, con los terminales de fuente unidos, sensible al desalineamiento entre los niveles de puerta y áreas activas en tecnologías autoalineadas. El desalineamiento se obtiene a partir de la medida de la corriente de canal en cada uno de los transistores, polarizando los mismos en la zona lineal o en la de saturación.Peer reviewe

Intervención del Presidente del CSIC en la Reunión de Directores (25/11/2015)

Datos técnicos: 77 minutos la primera parte, 22 minutos la segunda parte, color, español. Ficha técnica: Gabinete de Presidencia CSIC y Departamento de ComunicaciónN

Intervención del presidente del CSIC en la Reunión de directores del 5 de julio de 2017

Datos técnicos: 94 minutos, color, español. Ficha técnica: Gabinete de Presidencia CSIC y Departamento de ComunicaciónCSIC - Reunión de directores - julio 2017N

Intervención del presidente del CSIC, Emilio Lora-Tamayo

Datos técnicos: 53 minutos, color, español. Ficha técnica: Gabinete de Presidencia CSIC y Departamento de ComunicaciónReunión de directores. 29 de noviembre de 2012N

Método no destructivo para la determinación de la calidad de la soldadura anódica y mejora de contactos

Referencia OEPM: P9602697.-- Fecha de solicitud: 19/12/1996.-- Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).Método no destructivo para la determinación de la calidad de la soldadura anódica y mejora de contactos (ver figura en archivo de texto adjunto). Con este método, la muestra testeada queda intacta para su posterior uso. Al aumentar la temperatura en la soldadura, los iones producidos de uno de los materiales a soldar, quedan dotados de una movilidad suficiente para que cuando se aplique la diferencia de potencial entre estos materiales, se alejen de la superficie. Al ser atraídos por el electrodo negativo, se crea una capa de vaciado en la superficie que genera una atracción electrostático enorme, entrando en contacto y soldándose. Al aumentar la presión electrostática una mayor área de los dos materiales entra en contacto y la soldadura será mejor. Se realiza un test haciendo cavidades con profundidades muy controladas sobre una de las dos superficies a soldar, preferentemente sobre el metal o semiconductor. Se utiliza un electrodo de estrella que impide la formación de burbujas por atrapamiento de aire.Peer reviewe

Emilio Lora-Tamayo en la reunión de directores del CSIC (diciembre 2014)

Datos técnicos: 113 minutos, color, español. Ficha técnica: Gabinete de Presidencia CSIC y Departamento de ComunicaciónReunión de directores de centros del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, en diciembre de 2014.N